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模808n内空白   ,全球抢先m半导体泵度亘核芯单浦源填补国

本文作者:宇济 2025-07-03 19:44:59
导语:度亘核芯根据自主开发的高功率、高功率、高牢靠性的单模808nm。半导体。激光芯片,推出世界抢先的高性能蝶形光纤耦合模块。,率先在国内完成产业化打破,填补了国内空白。使用布景。单模高性能808nm泵浦光

度亘核芯根据自主开发的全球抢先高功率 、高功率 、度亘单模高牢靠性的核芯单模808nm 。半导体。半导激光芯片,体泵填补推出世界抢先的浦源高性能蝶形光纤耦合模块 。 ,国内率先在国内完成产业化打破  ,空白填补了国内空白 。全球抢先


使用布景。度亘单模

单模高性能808nm泵浦光 ,核芯为紧凑型光纤激光器供给牢靠中心动力 。半导作为掺钕增益介质(如Nd:YAG 、体泵填补Nd:YVO₄)的浦源首选泵浦波长,808nm单模泵浦源在飞秒激光振荡器、国内双光子激起显微成像等前沿研讨范畴使用广泛。别的,因其极佳的频率稳定性和低噪声特性,广泛使用于深空勘探中的干涉仪 、超。高精度 。激光测距等很多顶级科学研讨范畴。


单模808nm泵浦源凭仗其杰出的光束质量与体系牢靠性保证 ,已成为高端激光体系的中心组件。度亘核芯在单模激光芯片与模块范畴深耕细研,推出系列高功率 、高牢靠的单模产品 ,为前沿科学研讨 、光 。通讯。 、工业加工及。智能 。感知体系等供给中心泵浦动力 。


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立异成果与打破。

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单模高功率808nm半导体激光芯片和光纤耦合模块。



•。

高功率输出:经过精细化的外延结构规划与低应力工艺制备,完成了芯片输出功率最高打破。1200mW 。,耦合。模块输出功率最高超越。600mW。

• 。

高功率 :芯片最高电光转化功率到达。55%  。,在700mW作业条件下 ,电光转化功率仍然保持在。53%  。;模块400mW作业条件下,电光转化功率 。超越34%。

•。

高牢靠性:针对808nm单模激光芯片功率阑珊这一痛点问题,选用打破性的芯片与器材结构规划以及工艺优化 ,大幅改进了功率阑珊现象,在700mW的作业条件下,保证了芯片的牢靠作业。

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图1 单模808nm高功率芯片的L-I-V-E特性曲线。


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图2 光纤耦合模块特性曲线  。

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图3 不同 。电流。对应光谱图。


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产品规格 。

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关于度亘。



度亘核芯以高端激光芯片的规划与制作为中心竞争力 ,聚集。光电。产业链上游,具有掩盖化合物半导体激光器芯片规划、外延成长、器材工艺 、。芯片封装 。、测验表征 、牢靠性验证以及功能模块等全套工程技术才能和量产制作才能 ,专心于高性能  、高功率、高牢靠性光电芯片及器材的规划、研制和制作,产品广泛使用于工业加工 、智能感知  、光通讯 、医疗健康和科学研讨等范畴,努力打造具有世界职业位置的产品研制。中心。和出产制作商。

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